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恒忆与三星电子共同开发相变化内存
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2009年06月26日 星期五

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恒忆(Numonyx B.V.)与三星电子(Samsung Electronics Co.,Ltd)宣布共同开发相变化内存(Phase Change Memory,PCM)产品的市场规格,此新一代内存技术可协助多功能手机及行动应用、嵌入式系统及高阶运算装置的制造商,满足处理大量内容及数据的平台所需之高效能及功耗需求。

建立PCM产品通用的软硬件兼容性将有效简化设计流程及缩短开发时间,使制造商可在短时间内改采这两家公司所推出的高效能、低功耗PCM内存产品。相较于传统的NOR及NAND闪存,PCM能以较低的功耗达到极快速的读写速度,并且可达到一般在RAM中可见的位可变性(bit alterability)。

恒忆总裁兼执行长Brian Harrison表示,恒忆与三星的共同合作,能够发挥导入新技术时业界所需的指引与厘清,对于PCM技术发展及整体内存市场均是相当重大的里程碑。共通规格可有效协助芯片组厂商及整个产业体系中的其他厂商达成产品标准化,并且有助催生新一代的内存技术,不仅可嘉惠手机OEM,也有益于嵌入式系统与高阶运算装置及其客户。

恒忆与三星已开始针对支持JEDEC LPDDR2低功耗内存装置标准的行动、嵌入式及其他潜在运算应用订定共通标准,亦即pin-to-pin的软硬件兼容性。LPDDR2标准可提供高级电源管理功能、非挥发性内存(NVM)及挥发性内存(SDRAM)的共享接口,以及各种容量与速度。

此共同标准计划将在 2009 年完成,两家公司预计2010 年将有兼容装置问世。

關鍵字: PCM  恆憶  三星 
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