SSD近来在行动市场相当受到欢迎，平均售价也持续下降，让这种快速存取且低功耗的储存装置成长力道强劲。不过，现在市售的SSD仍存在一些技术问题，例如装置内的DRAM可能因断电而流失数据，因而新世代的技术仍在发展中。《日本经济新闻》评论称一两年之内SSD产业将迎来另一次革命。日前日本厂商Buffalo开发出的采用MRAM做缓存的SSD，正是一个转折性的发展方向。

MRAM架构示意图 BigPic:1023x799

相较于挥发性内存的DRAM，非挥发性内存的MRAM在失去电源供应时仍能储存数据，使其可以完全替代DRAM+超级电容器在工业级SSD当中的位置。另外，MRAM的最大优点为它可以根据系统状况随时切换开/关状态，使得SSD整体功耗降低20-50%。

目前MRAM材料的主要缺点为制造成本仍然十分高昂，主要面向工业级产品。但其改进型STT-MRAM提供了向消费性市场发展的机会，这是由三星(Samsung)和海力士(Hynix)两大内存厂自2008年开始合作开发的技术。比起传统的MRAM，耗电量更少、成本较低的STT-MRAM更适合消费性电子产品使用。预计今年年底STT-MRAM将开始受到采用，明、后年是消费类产品用STT-MRAM被推向商业化的时机。