南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，该公司已经与新一代内存STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技术开发商Grandis，签订了STT-RAM的技术授权及共同开发协议。根据协议内容，海力士将从Grandis获得STT-RAM技术授权，未来两公司的研究人员也将在产品开发领域进行合作。

海力士是首家与主导STT-RAM开发领域的Grandis签订技术导入及共同技术开发协议的南韩厂商。透过这次次的协议，可确保海力士尽快掌握新一代内存技术、并提高今后领先于市场的可能性。另外，与PRAM和ZRAM等一起构筑起多样化的新一代内存技术，还可进一步确保灵活性，以应对市场主导产品的变化。

STT-RAM为采用自旋电流（Spin-Polarized）移转效应所开发的一种非挥发性（Non-Volatile）内存，较现有的磁阻式随机存取内存（Magnetic RAM；MRAM）具有更多优势，包括无限次数的读写周期，低耗电，指令周期更快。