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革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能,短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守,長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力(Scalability)、儲存覆寫次數耐久性(Endurance)和資料保存能力(Data Retention)的侷限,使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵
海力士獲Grandis授權 將共同開發STT-RAM技術 (2008.04.10)
南韓海力士半導體(Hynix Semiconductor)宣佈,該公司已經與新一代記憶體STT-RAM(Spin-Transfer Torque RAM)的技術開發商Grandis,簽訂了STT-RAM的技術授權及共同開發協議。根據協議內容,海力士將從Grandis獲得STT-RAM技術授權,未來兩公司的研究人員也將在產品開發領域進行合作
非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質,所以發展出來的各類記憶體元件,多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故,所發展的都是非揮發性的記憶體,這樣才能既做為系統隨機存取之用,又能組成各類的儲存裝置,例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等
檢視STT-RAM記憶體應用優勢 (2007.10.19)
旋轉力矩轉移隨機存取記憶體(STT-RAM)是一種透過自旋電流移轉效應所開發而出的新記憶體技術,屬於非揮發性記憶體的一種,其應用優勢包括無限次數的讀寫週期、低耗電,以及運算速度更快等,更適合嵌入式設計應用


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