Transphorm推出七款叁考设计，旨在加快采用氮化??的USB-C PD电源配接器的研发。该叁考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，涵盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。

Transphorm推出叁考设计组合，加快USB-C PD氮化??电源配接器的开发

SuperGaN技术的差异化优势

电源配接器叁考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化??元件的代名词。在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化??元件 相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下拥有更高的性能。

电源配接器叁考设计

Transphorm的叁考设计组合包括五款开放框架的USB-C PD叁考设计，频率范围从140到300 kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发的一款65W主动钳位反驰模式(ACF)叁考设计，执行频率为140kHz，峰值效率为94.5%。

·45W配接器叁考设计采用准谐振反驰模式(QRF)拓扑结构，可提供24 W/in3的功率密 度

·65W配接器叁考设计采用ACF或QRF拓扑结构，可提供30 W/in3的功率密度

·100W配接器叁考设计采用功率因数校正(PFC)+QRF拓扑结构，可提供18 W/in3的 功率密度

Transphorm的叁考设计组合还包括两款开放架构的USB-C PD/PPS叁考设计，频率范围110到140 kHz。Transphorm与Diodes合作开发了这两款解决方案，利用该公司的ACF控制器实现了超过93.5%的峰值效率。

·65W配接器叁考设计采用ACF拓扑结构，可提供29 W/in3的功率密度

·140W配接器叁考设计采用PFC+ACF拓扑结构，可提供20 W/in3的功率密度

Transphorm现场应用和技术销售??总裁Tushar Dhayagude表示：「Transphorm独具优势，可提供唯一能适用於广泛应用的、涵盖众多功率水准的氮化??FET组合。我们的电源配接器叁考设计凸显出我们的低 功率能力。我们提供与控制器无关的PQFN和TO-220元件，可以极大地简化设计。这些优势以及其他特点有助於客户快速、轻松地在市场上推出具有突破性功率效率水准的氮化??解决方案。这正是Transphorm氮化??元件的价值所在。」