对摩尔定律的担忧从上世纪90年代就开始了，连英特尔也感到了压力。该公司制造技术部副总裁兼制造技术工程部总经理Jai Hakhu在日前举行的3i iSight Semiconductor Event(由风险投资公司3i公司和无晶圆厂半导体协会共同发起的会议)上警告，如果半导体设备供货商不能设计出创新的和可承受的解决方案，摩尔定律将会受到阻碍。

要让芯片中的晶体管数量每隔18个月翻一番，就必须实现在一个硅晶圆上加载更多更小的晶体管和更精细的微结构。芯片产业的指针英特尔的2009年32奈米、2011年22奈米的规划表明了这种趋势，但技术人员都深知，必须把希望寄托在一些切实可行的技术上。英特尔在8月3日公布的两项成果让人们看到了一些希望。

这两项被英特尔称爲「里程碑式的突破」的成果均在EUV(远紫外线，或者极紫外线)光蚀刻技术领域，该公司安装了全球第一套商用EUV光蚀刻工具，并建立了一条EUV掩膜试生产线。简单来说，EUV光蚀刻技术就是用远紫外线来实现芯片制造的光蚀刻技术。英特尔的工程师宣称已经运用该技术朝着2009年实现32奈米制程的方向迈出了重要的一步。英特尔技术和制造事业部组件研发总监Ken David表示，这将有助于继续将摩尔定律的优势在未来十年得到延续。

光蚀刻是芯片制造中最关键的制造技术，它能将设计好的电路“刻”到硅晶体上，就好像用微型画笔在硅晶体上绘制微细线条一样。半导体工业的精髓也正在于此。IC设计把人们想要实现的功能转化爲一张张设计图，微缩摄影则把这些设计图制作成极细微的光蚀刻掩膜。当硅芯片被依次铺上绝缘层、光蚀刻胶以及光蚀刻掩膜之后，紫外线就能透过掩膜并按照人们的意愿在硅片上画线，最终通过一些化学处理在硅芯片上形成裸露的电路。