继南韩DRAM厂三星电子宣布提高半导体资本支出后；国内DRAM业者力晶、茂德与华亚科技也纷纷展开开始进行新的筹资建厂计划；据业界消息，其中茂德计划一旦赴中国投资8吋晶圆厂申请案通过后，在2005下半年即斥资十亿美元兴建中国新厂。

据了解，目前市场DRAM合约价不断下跌，但各家DRAM厂为维持优势，仍计划在2005年度投入大笔资本支出，金额也可能再创新高。除三星已经宣布提高今年半导体资本支出，国内三家DRAM厂力晶、茂德、华亚科技也开始进行筹资计划，12吋新厂都将陆续完工投产。

而12吋厂成为DRAM厂生产重心，8吋厂转入生产利基型产品已是趋势；根据业界消息指出，已经将8吋晶圆厂西进申请案送件的茂德年，就计划投资10亿美元在中国大陆兴建半导体厂。

但茂德针对此一消息示，若该公司中国投资申请案通过，会将8吋厂西移，但不会生产DRAM，而是生产大陆当地需求较强的低功率DRAM（low power DRAM）、NOR闪存等产品。