英特尔宣布开始量产一款90奈米多层单元(Multi-Level Cell；MLC) NOR闪存。新款Intel StrataFlash Cellular Memory (M18)组件提供较先前130奈米版本组件更快的效能、更高的密度以及更低的耗电量，满足具有相机、彩色屏幕、Web浏览以及影片播放等多功能手机的需求。

M18提供业界最快的读取速度，让新款闪存达到与新一代手机芯片组一样的总线频率 – 最高达133MHz。由于芯片组与内存之间的互动速度较130奈米版本的组件高，这种速度更符合用户应用的需求。M18的写入速度高达每秒0.5MB，能支持3百万像素相机与MPEG4格式的影片。出厂前编程速度较先前的130奈米版本快三倍，让OEM厂商享受更低的生产成本。与前一代产品相较之下，M18编程时消耗的电力只有三分之一，删除数据时消耗的电力只有二分之一，并提供新开发的Deep Power Down运作模式，这些都有助于提高电池续航力。M18亦提高NOR快闪组件密度，单芯片解决方案可达256Mb与512Mb的容量，标准堆栈式封装解决方案可达1Gb。

英特尔现与手机产业的厂商合作，协助客户缩短整合时间、提升效能以打造出优化的参考设计平台。为协助研发业者加速整合与推出新款手持式装置，英特尔推出免权利金的新一代Intel Flash Data Integrator (Intel FDI) 软件。Intel FDI v7.1提供一套开放式架构，让业者能整合快闪文件系统、实时操作系统，以及可挂载USB、支持Multi-volume，以及支持RAM缓冲区等三项新功能。