大陸晶圓代工業者上海中芯國際日前宣布，該公司以0.18微米製程試產的靜態隨機存取記憶體（1T-SRAM）已獲供應商MoSys的認證；中芯下半年就可在大陸直接提供客戶1T-SRAM製程與代工產能，並可望在嵌入式記憶體代工市場，與台積電、聯電以及力晶等記憶體廠商競爭。

中芯國際市場及行銷中心副總裁宋建邁表示，中芯獲得MoSys的1T-SRAM記憶體技術認證，可以使中芯的客戶開始採用相關技術生產SRAM產品，中芯也與MoSys合作，為客戶提供從設計到生產的完整解決方案，並以MoSys的1TSRAM高密度記憶體結構來生產系統級元件。

由於行動電話、PDA等可攜式電子產品整合了多項功能，對內建記憶體容量與資料存取速度要求更高，然因過去含有四至六個電晶體的SRAM晶片尺寸不易縮小，製造成本也過高，所以大部份的手機與PDA業者已開始以相對上成本較低、容量較大、晶片尺寸較小的1T-SRAM為主要應用晶片。1T-SRAM技術可提供類似傳統SRAM，無須更新的介面和任意位址訪問周期的高性能，較傳統SRAM省電近四倍，成為SoC晶片設計的重要技術。

MoSys是全球1T SRAM的主要授權技術廠商，與台積電、聯電有長期合作關係，聯電並已經完成MoSys的0.13微米先進製程驗證，台積電也在嵌入式記憶體布有重兵，都將針對系統單晶片（SoC）的代工市場競爭。除晶圓雙雄之外，華邦與夏普、茂德與廠柏士半導體（Cypress）亦看好該市場發展性，積極合作開發1T SRAM產品。