晶片分析機構Semiconductor Insight指出，奇夢達和美光科技已經搶在三星電子之前發表了下一代DDR3 DRAM晶片的樣品，成為DDR3 DRAM市場和技術的領先廠商。

DDR3晶片的速率是前代DDR2的二倍，但消耗的能量沒有明顯增長。美光科技和奇夢達DDR3晶片的樣品，搶在DRAM傳統技術領先廠商三星電子之前。DDR3晶片支援1,600Mbps的數據率，速度是DDR2 DRAM的兩倍；其工作電壓為1.5V，而DDR2為1.8V。降低電壓後，在移動系統中能夠降低能量的消耗，導致更小的熱量散發，進一步延長了電池壽命。DDR3 DRAM晶片的高速運行是晶片封裝、整合電路和信號傳輸的重大進步。據悉，英特爾晶片組將於2007年中期支援DDR3，此舉必將為該市場注入活力。

雖然2006年DDR2記憶體超過了DDR DRAM，但根據iSuppli的預測顯示，DDR3的出貨量可在2010年時超越DDR2。整個DRAM市場乃至全球半導體市場可能在2009年開始下滑，然而，DDR3 DRAM的出貨量和收益卻可望出現強勢成長。美光科技儲存部門資深營銷主管Bill Lauer表示，計劃今年中期將製造容量為1GB的DDR3晶片產品，並發佈容量為2GB的DDR3晶片樣品。

目前，NAND快閃記憶體仍然位居要角，而記憶體供應商也為確保其產能而開足了馬力。NAND的單位出貨量在2006年已超過DRAM。然而，由於行動電話和Windows Vista作系統的PC以及消費產品的帶動， DRAM也步入穩定成長。