化學機械研磨(CMP)設備廠商應用材料公司宣佈推出兩項創新的銅製程技術並與Mirra Mesa系統相互結合。藉以支援半導體客戶進行雙嵌刻銅導線晶片整合設計的各項需求，利用Mirra Mesa優異的製程控制能力來提供各種具有量產價值以及合乎成本效益的處理技術。

應用材料公司此次推出兩項最新的CMP銅製程技術能夠將凹陷與腐蝕現象減到最低，使得晶片具有平坦化。在一開始將銅快速磨除之後，緊接著客戶便可按照本身的雙嵌刻銅導線整合策略來挑選以selective或non-selective製程來進行阻障層薄膜的研磨作業。其中，non-selective製程採用一項突破性技術來清除阻障層薄膜以及諸如USG、FSG以及Black Diamond薄膜等不需另加覆蓋層的介電材料；另外，選擇性CMP製程的作用則是在另加覆蓋層的低k值介電材料應用中，將表層的介電材料予以平面化處理。由於不需要進行額外的IMD介電材料研磨步驟，因此這兩種處理方式皆可簡化作業流程並降低製造成本。