NAND快閃記憶體市場供不應求，東芝去年四月宣佈興建的12吋NAND快閃記憶體廠，即將在2月21日於日本四日市正式開工；據了解，東芝也決定將12吋廠的NAND晶片後段封測訂單交予台灣封測廠力成代工，預計六月起就會開始釋出訂單。

據東芝公佈資料，該新12吋廠今年下半年就開始以90奈米製程投片生產4Gb以上高容量NAND晶片，初期將以1萬片月產能投片，今年底應可拉高至2萬片水準，明年中旬應可順利達成3萬7500片的滿載產能。此外，為了因應競爭對手三星電子開始以70奈米量產8Gb NAND晶片，東芝也將在新廠中調撥部份產能，直接以70奈米生產8Gb NAND晶片。

NAND晶片供應商全力衝刺高容量晶片，也為國內記憶體測試廠帶來龐大商機。據設備業者指出，由於NAND晶片跨入70奈米以下後，測試時間要拉長至少60％，容量由4Gb擴大至8Gb，測試時間也要拉長60％，因此隨著上游三星、東芝、SanDisk等開始以70奈米新製程投產8Gb晶片，委外代工測試時間將拉長2.56倍，對下游封測代工廠力成、矽品等協力業者來說，是獲利前景極為樂觀的一年。