對摩爾定律的擔憂從上世紀90年代就開始了，連英特爾也感到了壓力。該公司製造技術部副總裁兼製造技術工程部總經理Jai Hakhu在日前舉行的3i iSight Semiconductor Event(由風險投資公司3i公司和無晶圓廠半導體協會共同發起的會議)上警告，如果半導體設備供應商不能設計出創新的和可承受的解決方案，摩爾定律將會受到阻礙。

要讓晶片中的電晶體數量每隔18個月翻一番，就必須實現在一個矽晶圓上載入更多更小的電晶體和更精細的微結構。晶片產業的指標英特爾的2009年32奈米、2011年22奈米的規劃表明了這種趨勢，但技術人員都深知，必須把希望寄託在一些切實可行的技術上。英特爾在8月3日公佈的兩項成果讓人們看到了一些希望。

這兩項被英特爾稱爲「里程碑式的突破」的成果均在EUV(遠紫外線，或者極紫外線)光蝕刻技術領域，該公司安裝了全球第一套商用EUV光蝕刻工具，並建立了一條EUV掩膜試生產線。簡單來說，EUV光蝕刻技術就是用遠紫外線來實現晶片製造的光蝕刻技術。英特爾的工程師宣稱已經運用該技術朝著2009年實現32奈米製程的方向邁出了重要的一步。英特爾技術和製造事業部元件研發總監Ken David表示，這將有助於繼續將摩爾定律的優勢在未來十年得到延續。

光蝕刻是晶片製造中最關鍵的製造技術，它能將設計好的電路“刻”到矽晶體上，就好像用微型畫筆在矽晶體上繪製微細線條一樣。半導體工業的精髓也正在於此。IC設計把人們想要實現的功能轉化爲一張張設計圖，微縮攝影則把這些設計圖製作成極細微的光蝕刻掩膜。當矽晶片被依次鋪上絕緣層、光蝕刻膠以及光蝕刻掩膜之後，紫外線就能透過掩膜並按照人們的意願在矽片上畫線，最終通過一些化學處理在矽晶片上形成裸露的電路。