據了解，日本科學家研究出一種把半導體矽元素與化合物半導體磷化鎵融合在一起的技術，為製造可在一塊晶片上處理電子、光和微波的光電子融合元件開闢了道路。

這一技術是由日本豐橋科技大學教授米津宏雄領導的科研小組研究成功的，為使這兩種不同的半導體實現晶體融合，他們採取了下列方法：一、在磷化鎵裡添加氮，以調整它的原子排列；二、在矽基板上構築由失真量子阱、導波層和金屬包層構成的量子阱結構；三、用矽層夾住磷化鎵層。

半導體元件大致分為使用矽晶體的電子元件、使用化合物半導體的光元件和微波元件三種。米津教授研究成功的這種新的半導體材料，有可能把上述三種半導體元件製作在一塊晶片上，使之能發揮出三種元件的功能。此外，它還能減少製造化合物半導體所不可缺少的砷、磷等有毒物質的使用量，有益於減少環境負荷。