英特爾日前公佈了將用於生産下一代微處理器的65nm半導體製造技術的詳情，此技術將用於多核心架構的處理器，並定於2005年開始量産，將由300mm晶圓半導體製造廠負責生産。

根據英特爾公佈的技術內容，作爲運行速度指標的電晶體柵長爲35nm，比90nm製程縮短了約30%，電晶體柵氧化膜的厚度爲1.2nm。作爲高密度指標的柵間隔（接觸柵間隔）爲220nm，也比90nm製程縮短了約30%。為了同時提高密度和性能，佈線層數爲8層，比90nm製程的佈線層數多1層。佈線層之間的絕緣膜使用了塗有碳的氧化膜類low-k材料。

英特爾使用這項製造技術，試産了儲存容量爲70Mbit的大容量SRAM，並證實完全可以正常工作。英特爾表示，該公司今後仍將每2年完成一次製造技術的更新換代，摩爾定律仍將長期適用下去。