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KLA-Tencor:7奈米以下製程需有效降低顯影成型誤差
 

【CTIMES 王岫晨 報導】   2017年09月14日 星期四

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7納米製程節點將是半導體廠推進摩爾定律(Moore’s Law)的下一重要關卡。半導體進入7納米節點後,製程將面臨更嚴峻的挑戰, 不僅要克服晶圓刻蝕方面、熱、靜電放電和電磁干擾等物理效應,同時要讓信號通過狹小的線也需要更大的電力,這讓晶片設計,檢查和測試更難。

KLA-Tencor公司行銷長暨資深副總 Oreste Donzella
KLA-Tencor公司行銷長暨資深副總 Oreste Donzella

KLA-Tencor針對7奈米以下的邏輯和尖端記憶體設計節點推出了五款顯影成型控制系統,以幫助晶片製造商實現多重曝光技術和EUV微影所需的嚴格製程公差。在IC製造廠內,ATL疊對量測系統和SpectraFilm F1薄膜量測系統可以針對finFET、DRAM、3D NAND和其他複雜元件結構的製造提供製程表徵分析和偏移監控。 Teron 640e光罩檢測產品系列和LMS IPRO7光罩疊對位準量測系統可以協助光罩廠開發和鑑定EUV和先進的光學光罩。 5DAnalyzer X1高級資料分析系統提供開放架構的基礎,以支持晶圓廠量身定制的分析和實時製程控制的應用。這五款新系統拓展了KLA-Tencor的多元化量測、檢測和資料分析的系統組合,從而可以從根源上對製程變化進行識別和糾正。

對於7奈米和5奈米設計節點,晶片製造商在生產中找到疊對誤差,線寬尺寸不均和熱點(hotspot)的根本起因變得越來越困難。KLA-Tencor公司行銷長暨資深副總Oreste Donzella表示,除了曝光機的校正之外,客戶也在了解不同的光罩和晶圓製程步驟變化是如何影響顯影成型的。透過提供全製造廠範圍的開放式量測和檢測資料,IC工程師可以對製程問題迅速定位,並且在其發生的位置直接進行管理。我們的系統,例如今天推出的五款系統,讓客戶能夠降低由每個晶圓、光罩和製程步驟所導致的顯影成型誤差。

關鍵字: EUV  DSA  3D封裝  摩爾定律  FO  KLA-Tencor 
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