據日本工業新聞報導,由日本富士通與超微(AMD)合資成立的NOR型快閃記憶體(Flash)業者FASL日前表示,該公司有意跨足NAND型快閃記憶體市場,並預定在2004年中推出相關產品,與三星、東芝等主力廠商分庭抗禮。
該報導指出,照相手機及數位相機市場快速興起,NAND型快閃記憶體商機大增,促使許多半導體廠搶進市場,除DRAM廠商美光、英飛凌,NOR型快閃記憶體廠商意法亦將與DRAM廠商海力士聯手進軍NAND型快閃記憶體。而FASL亦不願錯失機會,於日前即傳出已著手研發NAND型產品。
FASL是在2003年7月正式成立,主要業務為研發、生產、銷售NOR型快閃記憶體。為因應市場對大容量快閃記憶體的需求,FASL日前推出512Mb NOR型快閃記憶體,而隨著NAND型產品已進入量產1G產品階段,FASL亦計畫推出大容量NAND型產品。