帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
東芝計劃增加NAND型Flash設備投資
 

【CTIMES/SmartAuto 鄭妤君 報導】   2003年09月22日 星期一

瀏覽人次:【1307】

根據彭博資訊(Bloomberg)報導,全球NAND型快閃記憶體(Flash)供應商之一,日本東芝於日前表示,因NAND型快閃記憶體需求在全球數位相機(DSC)及可照相手機市場帶動下不斷成長,因此該公司將考慮再加碼投資生產設備以因應市場需求。

該報導指出,因目前全球僅有三星電子及東芝兩大廠可供應NAND型快閃記憶體,使得該產品供給缺口不斷擴張,東芝雖已在旗下四日廠增設生產線,但短時間產能無法快速成長,難以滿足市場需求;據估計,目前全球NAND型快閃記憶體市場供給缺口高達30%以上。

雖然其他記憶體業者海力士(Hynix)與瑞薩(Renesas)均有意進軍該市場,但是最快也要到2004年以後才能量產,對市場影響仍要到2004下半年之後。因此東芝表示,該公司有必要再提升相關設備投資額,以提高NAND型Flash產能,確切的金額及時程將另行公佈。

東芝2003年度設備投資金額為2740億日圓,其中有1180億日圓是用來擴增半導體產能,而在NAND型快閃記憶體市況熱絡的情況下,東芝半導體事業營業利益可望超過原先預估的800億日圓,上看900億日圓。

關鍵字: Flash  東芝(Toshiba多次燒錄唯讀記憶體 
相關新聞
美光針對用戶端和資料中心等市場 推出232層QLC NAND
ROHM與Toshiba合作製造功率元件 強化日本半導體供應鏈
台灣美光台中四廠正式啟用 將量產HBM3E及其他產品
慧榮科技終止與美商邁凌合併協議並請求賠償
美光發布記憶體擴充模組 加速CXL 2.0應用
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.134.104.173
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw