外電消息報導，日本IC設計公司Genusion日前表示，該公司成功研發一項名為「B4-Flash」的快閃記憶體技術，能大幅提升快閃記憶體的處理速度，達到目前10左右。

Genusion表示，B4-Flash技術在生產過程中，使用了該公司專利的B4-HE (Back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron)注射技術，該技術能提升目前快閃記憶體的處理速度。

Genusion指出，B4-HE技術具有將目前的快閃記憶體速度提升到100Mbps的潛力，現階段快閃記憶體的處理速度約為1~10Mbps，僅約硬碟（HDD）速度的1/10。該公司也透露，目前已有一顆4MB的測試晶片產出，該晶片是採用現有快閃記憶體製程所製造，最快將在2009年前進行量產。