IBM和美國羅門哈斯(Rohm and Haas)兩公司將共同開發用於32~22nm製程的CMP(化學機械研磨)技術。據了解,兩公司主要的合作開發技術,在於32~22nm製程下的Cu/低介電率(low-k)絕緣膜的平坦化所需襯墊(Pad)、漿液(Slurry)及調節器(Conditioner)間的相互控制。
此次兩公司共同開發技術將在下列地點進行,包括IBM的Yorktown Heights研發設施、UAlbany NanoCollege、以及位於Delaware的Newark,和Arizona Phoenix的羅門哈斯研發設施。
IBM和羅門哈斯還將共同開發行32nm以下的離子注入技術。為此羅門哈斯表示,將在該公司位於Massachusetts Marlborough的技術中心導入高開口數(NA)的液浸曝光設備。