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IBM和羅門哈斯將合作開發先進製程CMP技術
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2008年03月07日 星期五

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IBM和美國羅門哈斯(Rohm and Haas)兩公司將共同開發用於32~22nm製程的CMP(化學機械研磨)技術。據了解,兩公司主要的合作開發技術,在於32~22nm製程下的Cu/低介電率(low-k)絕緣膜的平坦化所需襯墊(Pad)、漿液(Slurry)及調節器(Conditioner)間的相互控制。

此次兩公司共同開發技術將在下列地點進行,包括IBM的Yorktown Heights研發設施、UAlbany NanoCollege、以及位於Delaware的Newark,和Arizona Phoenix的羅門哈斯研發設施。

IBM和羅門哈斯還將共同開發行32nm以下的離子注入技術。為此羅門哈斯表示,將在該公司位於Massachusetts Marlborough的技術中心導入高開口數(NA)的液浸曝光設備。

關鍵字: IBM  Rohm and Haas  CMP  測試系統與研發工具 
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