英特爾（Intel）在英特爾開發商論壇（IDF）上首次公開演示其PRAM技術。PRAM是由英特爾和數家其他公司聯合開發的一種相變隨機記憶體，被認為可能取代Flash，甚至是DRAM。與DRAM不同的是，Flash等非揮發性記憶體不會因沒電而丟失存儲的資訊。但是，與DRAM相比，Flash讀寫資料的速度要慢得多，而且容量較小，製造成本也更高。而PRAM在資料讀寫速度和耐用性方面都比Flash有優勢，英特爾將於今年下半年生產PRAM。

目前市面上的DRAM具有成本低與隨機存取的優勢，但遺憾的是其揮發性會造成斷電後資料失去；而充當緩衝記憶體的SRAM，雖讀寫速度快且可隨機存取，但也易揮發且成本較高；Flash雖成本低且具有非揮發性特點，但卻苦於速度慢而且無法隨機存取。為了解決這些問題，相關產業已著手開發整合DRAM、SRAM和快閃記憶體等所有優點的下一代記憶體，例如磁性隨機記憶體（MRAM）、鐵電隨機記憶體（FeRAM/FRAM）和相變隨機記憶體（PRAM）等。然而，目前除了PRAM外，FRAM和MRAM仍無法跨越16Mb。相形之下，PRAM更易實現大容量和大規模生產，因而成為時下針對行動裝置在下一代記憶體應用中最有希望的候選者。

英特爾寄希望于PRAM能夠取代NOR和NAND Flash，提高PRAM晶片的需求，降低其生產成本。Flash被廣泛應用在手機和其他攜帶型產品中，但也能被應用在PC中。PRAM的應用範圍與Flash一樣，英特爾正在調查PRAM的新用途，看它是否能夠取代DRAM，英特爾認為PRAM它的性能似乎不輸DRAM，不過PRAM是否能夠完全取代DRAM，還是個未知數。