聯電與MoSys近日宣佈，聯電取得MoSys之1T-SRAM技術的授權，以加強聯電現有的IP服務，提供更適合聯電製程的記憶體給SoC設計工程師使用。聯電並將此高密度（ultra-high density）1T-SRAM記憶體技術客製化，進而提供更多重的選擇。

聯電市場開發部的副總經理李俊德表示，記憶體在晶片設計成功與否中扮演著重要角色，因為依照記憶體發展，未來將占SoC晶片面積的50％以上，因此聯電提供更適於聯電製程的記憶體巨集，除了聯電目前提供的6T及trench（溝道）記憶體，1T-SRAM將是另一種不同的選擇。

SoC嵌入式記憶體供應商MoSys副總經理兼IP部門總經理Mark-Eric Jones先生表示，MoSys很高興聯電採用MoSys技術，且此協議將持續以往雙方的合作關係，使聯電能直接提供設計支援及服務給客戶。MoSys 提供適合聯電0.15微米及0.18微米標準邏輯製程的1T-SRAM記憶體巨集，客戶可經由聯電的Gold IP program找到合適之技術。