帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
東芝將推出4Gb NAND Flash
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2004年04月06日 星期二

瀏覽人次:【1326】

路透社消息指出,東芝(Toshiba)表示將推出全球儲存量最大的快閃記憶體,以期在競爭日益激烈的可重複讀寫記憶體市場上抵擋競爭。

容量4Gb的NAND快閃記憶體將在4月稍晚開始推出,售價為12000日圓(114美元),預計2004年第三季可量產。

NAND是一種高密度快閃記憶體,具備重複抹寫性質。東芝的新快閃記憶晶片將由它與美國SanDisk的合資企業,使用90奈米製程技術生產。

關鍵字: NAND Flash  東芝(Toshiba其他記憶元件 
相關新聞
ROHM與Toshiba合作製造功率元件 強化日本半導體供應鏈
受惠SSD採購需求強勁 第二季NAND Flash總營收季增1.1%
美光全球首款232層NAND正式出貨 數據傳輸速度快50%
美光率先將176層NAND和1α DRAM技術導入工業和車用市場
東芝與Farnell合作加強供應鏈 擴大新品及創新範疇
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.119.159.150
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw