在蘋果iPad的助攻以及各類Tablets的強力推波助瀾下，市調機構iSuppli預估，到2011年時，NAND快閃記憶體可鞏固平板電腦市場，成長幅度將近3倍！

預估到2011年，全球平板電腦內NAND快閃記憶體的總容量，可達17億GB左右，今年全球平板電腦內的NAND Flash總容量大約是4.28億GB，成長幅度將達296.1％！這樣的大幅成長可望繼續下去，預計到2014年時，全球平板電腦內NAND Flash總容量可超過88億GB以上！

由於iPad帶動所謂media tablets的風潮，使用者對於儲存多媒體視訊資料的需求越來越殷切。iPad採用NAND Flash儲存多媒體視訊資料，已經對於各家Tablets形成帶動效應。iSuppli預估今年每台平板電腦內的NAND Flash儲存容量，平均約在28GB左右，到2014年時，每一台平板電腦內的NAND Flash儲存容量可望大幅成長到65GB。

正因為NAND Flash的供貨需求將會不斷提昇，記憶體的可擴充性、價格和抹除寫入效能，都是值得觀察的重點。

一般而言，Flash的工作原理是以電子寫入的方式紀錄資料（Program），並以電子移除的方式抹除資料（Erase）。快閃記憶體兩大架構之一的NAND Flash，需經過將特定位元資料抹除後才可寫入（program），這類似DRAM儲存裝置的bit alter功能。

由Toshiba研發出屬於堆疊式架構的NAND Flash，讀取速度特別是在隨機存取速度上較慢，不過抹除寫入的時間較快，成本較低，資料保全層級需求較低，在大區塊的寫入效能較佔優勢，可應用於大量影音資料（data）的獨立記憶儲存裝置。不過NAND Flash裝置重新抹除寫入時，就會輕微受損產生壞塊（Bad Block），因此NAND Flash常以控制器管理壞塊，出現壞塊時控制器便將資料轉移到預定其他儲存區間。

因此在技術趨勢上，NAND Flash的製程將會更加微型化，進入到20幾奈米、甚至是到10幾奈米階段。另外，為有效管理壞塊，並提昇NAND Flash記憶體可靠度和抹除寫入的效能，記憶體控制器的bit數將會不斷增加，並加強錯誤校正（ECC）的能力。

目前三星已經推出7吋的GALAXY Tab之外，戴爾也預計在明年推出第二款7吋平板電腦，宏碁也預計在今年底或明年第1季推5吋平板電腦，惠普預料也不會缺席。而摩托羅拉、諾基亞、宏達電、LG等手機大廠，也將在明年陸續推出類似iPad的平板電腦產品。市場對於NAND Flash的需求量，看來只會多不會少！