工商時報報導,全球第一大記憶體晶片製造商南韓三星電子日前發表全球首顆以70奈米製程生產的4Gb NAND規格快閃記憶體(Flash)新產品,該公司指出,由於Flash需求成長快速,該公司記憶體部門第三及第四季營業毛利率將「大幅走高」。
該報導指出,三星電子週一發表全球首顆以70奈米製程技術製造的4Gb NAND規格的快閃記憶體及80奈米技術的DRAM新產品,該公司表示,在2003年底前,70%的三星電子晶片將以0.1微米以下的製程技術生產。
而目前針對嚴重缺貨的Flash市場高達40%的供需缺口,三星目前只能應付五分之三的訂單,預計市場的強力需求將可延燒至2005年。
三星電子半導體業務含蓋記憶體晶片、面板及系統大型積體電路,半導體部門第二季營業毛利率達15%。三星表示,由於預估記憶體晶片市場將持續擴張,加上該公司轉進先進製程的節省成本效益顯現,預估三星電子下半年記憶體業務的營業毛利將可較第二季「強勁成長」。三星表示第二季記憶體業務的營業毛利率高於15%,但確切數字要在十月公佈的第三季財報中才會公佈。