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搶先一步 奇夢達和美光發表DDR3 DRAM晶片
 

【CTIMES/SmartAuto 林彥慧 報導】   2007年03月26日 星期一

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晶片分析機構Semiconductor Insight指出,奇夢達和美光科技已經搶在三星電子之前發表了下一代DDR3 DRAM晶片的樣品,成為DDR3 DRAM市場和技術的領先廠商。

DDR3晶片的速率是前代DDR2的二倍,但消耗的能量沒有明顯增長。美光科技和奇夢達DDR3晶片的樣品,搶在DRAM傳統技術領先廠商三星電子之前。DDR3晶片支援1,600Mbps的數據率,速度是DDR2 DRAM的兩倍;其工作電壓為1.5V,而DDR2為1.8V。降低電壓後,在移動系統中能夠降低能量的消耗,導致更小的熱量散發,進一步延長了電池壽命。DDR3 DRAM晶片的高速運行是晶片封裝、整合電路和信號傳輸的重大進步。據悉,英特爾晶片組將於2007年中期支援DDR3,此舉必將為該市場注入活力。

雖然2006年DDR2記憶體超過了DDR DRAM,但根據iSuppli的預測顯示,DDR3的出貨量可在2010年時超越DDR2。整個DRAM市場乃至全球半導體市場可能在2009年開始下滑,然而,DDR3 DRAM的出貨量和收益卻可望出現強勢成長。美光科技儲存部門資深營銷主管Bill Lauer表示,計劃今年中期將製造容量為1GB的DDR3晶片產品,並發佈容量為2GB的DDR3晶片樣品。

目前,NAND快閃記憶體仍然位居要角,而記憶體供應商也為確保其產能而開足了馬力。NAND的單位出貨量在2006年已超過DRAM。然而,由於行動電話和Windows Vista作系統的PC以及消費產品的帶動, DRAM也步入穩定成長。

關鍵字: 動態隨機存取記憶體 
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