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快捷半導體在印度普那成立研發中心
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2008年02月26日 星期二

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快捷半導體(Fairchild Semiconductor)宣佈在印度的普那(Pune)成立設計中心。此一研發中心將負責快捷半導體新一代功率MOSFET和IGBT技術的設計和開發,支援太陽能逆變器(solar inverter)、不斷電系統(uninterruptible power supplies;UPS)、汽車、照明和鎮流器等應用。

該印度研發中心聘有專業的電子工程師,他們均擁有豐富的設計經驗,對於功率設計,尤其是低電壓功率設計的要求瞭若指掌。快捷半導體選擇印度普那作為研發中心的所在地,是因當地靠近幾個以工程技術為重點的優秀院校和教育機構,而且也是不同研究機構的所在地,與當地的高等教育相輔相成。此外,普那在汽車製造領域也擁有強大的實力。

快捷半導體可提供業界最廣泛的產品系列,從1W到大於1200W 的產品一應俱全,可完全滿足市場對高能效產品的需求。由於全球的燃油供應不斷減少,而各國也相繼推出有關應用產品能效的各種強制性法規與標準,因此市場對更低功耗、更節能的新技術之需求持續上升。快捷半導體專注於先進產品和解決方案的開發,以協助所有電子應用實現高功效的性能。

關鍵字: 快捷半導體(Fairchild
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