高速記憶體架構技術授權公司Rambus發表其創新行動記憶體（Mobile Memory Initiative）技術。這項技術開發計畫聚焦於高頻寬、低功耗的記憶體技術，目標為在同等級最佳能源效率下，達到4.3 Gbps的資料傳輸率。此效能可協助設計人員透過單一行動DRAM裝置，實現每秒超過17 Gigabytes的記憶體頻寬。這些技術推動的記憶體架構將可符合新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機和可攜式媒體產品等應用需求。Rambus也於DesignCon 2009展場上以矽測試載具（silicon test vehicle）展示此創新行動記憶體技術。

Rambus結合其高頻寬的專業能力和高電源效率的訊號技術，為創新行動記憶體開發關鍵性的新特色，例如：極低擺幅差動訊號—結合差動架構中穩固的訊號品質和創新的電路技術，大幅降低主動功率消耗；FlexClocking架構—為一時脈前送（clock-forwarded）和時脈分配（clock-distributed）拓樸 ，可實現高速運作和簡化的DRAM介面，以及進階電源狀態管理—搭配FlexClocking架構，可提供省電模式之間的快速轉換時間，並可在不同使用模式下達到電源效率最適化的目標。