帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
英特爾和ASML強化合作 驅動高數值孔徑2025年進入生產
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2022年01月19日 星期三

瀏覽人次:【3031】

為推進尖端半導體微影技術發展,ASML和英特爾宣布其長遠合作的最新階段發展。作為雙方公司長遠高數值孔徑合作案的框架內容,英特爾已向ASML下訂業界首台TWINSCAN EXE:5200 系統的訂單;這是款具備High-NA的極紫外光(EUV)大量生產系統,每小時具備200片以上晶圓產能。

新聞照片_英特爾和ASML強化合作關係,驅動High-NA高數值孔徑於2025年進入生產階段
新聞照片_英特爾和ASML強化合作關係,驅動High-NA高數值孔徑於2025年進入生產階段

「英特爾的遠見和對ASML High-NA EUV的早期承諾,為其不斷追求摩爾定律的絕佳佐證。相較於目前的 EUV系統,我們持續創新拓展EUV路線圖,進一步降低複雜性、成本、週期時間和所需能量,提供驅動晶片產業下個10年所需要的良好經濟規模延展性。」-Martin van den Brink,ASML總裁暨技術長。

英特爾於去年7月Accelarated活動中宣布,其部署首款High-NA技術的計畫,藉以確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在2018年即是之前TWINSCAN EXE:5000系統的首位買家,透過今日所宣布的新訂購案,其合作關係將隨著英特爾於2025年開始以高數值孔徑EUV進行生產製造而延續下去。

「英特爾的重點就是保持半導體微影技術的領先地位,去年我們持續不斷地打造我們的EUV專業知識和能力。透過與ASML的密切合作,我們將汲取High-NA EUV的高階析度圖案化優勢,作為延續摩爾定律的其中一個方式,並將我們追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去。」Ann Kelleher博士,英特爾執行副總裁暨技術開發事業部總經理。

EXE平台為EUV技術的演化步驟,其包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和EXE:5200系統與之前EUV機器所具備的0.33數值孔徑鏡片相比,提供精確度提升的0.55數值孔徑,為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化。系統所具備的數值孔徑結合其使用波長,決定了最小能夠印製的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA為2025年開始的多個未來節點所設計,同時也是業界首次部署該技術,隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。在2021年的投資者關係日,ASML分享其EUV路線圖規劃,並表示High-NA技術有望自2025開始支援生產製造。今日聲明與此路線圖規劃一致。

關鍵字: 先進製程  高數值孔徑  Intel(英代爾, 英特爾
相關新聞
英特爾攜手合作夥伴 助力AI PC創作新世代
Intel成立獨立FPGA公司Altera
Intel Core Ultra透過新vPro平台將AI PC延伸至企業應用
ADI擴大與TSMC合作以提高供應鏈產能及韌性
英特爾宣布晶圓代工諮詢委員會成員 因應AI時代的挑戰
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 開啟邊緣智能新時代 ST引領AI開發潮流
» ST以MCU創新應用潮流 打造多元解決方案
» ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰
» ST引領智慧出行革命 技術創新開啟汽車新紀元
» ST:精準度只是標配 感測器需執行簡單運算的智慧功能


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.238.254.78
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw