ST日前发表一款快速与易于使用的512Kbit闪存IC，特征是能够连续且随机的进行读取操作，具有页面可程序化功能、区块与全块抹写模式，以及一个20MHz的SPI兼容序列总线。M25P05是ST M25Pxx序列闪存家族系列的第二款产品，它反映了逐渐远离平行架构，而朝向更节省空间的序列设计概念。

ST表示，M25P05的前身为一款1Mbit的非挥发性场效可编程512Kbit（64 K x 8 bit）闪存。M25P05是可储存大量数组和区段数据的闪存，适用于消费、工业、医疗、及电信等产品。M25P05的主要应用产品包含数字相机、语音玩具、打印机、高阶装置、学习型遥控器、智能型键盘、屏幕显示设置、硬盘与光驱、以及SCSI卡、网络卡与绘图卡等。M25Pxx家族还包括了2/4/8Mbit产品，今年起将陆续上市。

ST并且指出，每个M25P05包含两个256页的扇区。由于每个页面为128bytes，因此整个内存相当于512页或65,536字节。这款内存的页面式编程指令一次能写入1~128字节的数据。一个全块抹写指令就能抹写整个内存的数据；而另一个区块抹写指令则能针对单一区块进行抹写。这些指令的完成速度非常快，能节省用户在操作、产品开发或进行编程时的时间。M25P05领先业界的特征包括了在2.7V的操作电压下，读取整个内存的时间仅需26ms；而对128byte的页面进行编程则只需3ms；M25P05也能分别在1s与2s的标准操作时间内完成256Kbyte扇区与512Kbyte的抹写动作。此外，由于M25P05允许随机或连续读取操作，因此这款序列内存得以减少下指令的次数。与传统的平行架构相比较，用户更能利用M25P05进行产品的开发。这款产品的4线SPI兼容串行接口时钟频率最高为20MHz。

M25P05的其他特征包括了2.7V~3.6V的单一操作电压、1μA深度省电模式(典型的)，以及一个8位的电子签名。运用ST超持久的CMOS闪存技术，M25P05允许每个扇区至少可进行100,000次的抹写动作，同时保证资枓至少能保存20年，操作温度为-40oC ~ +85oC。

M25P05 512Kbit序列页面式闪存采用150或200 mil wide的SO8封装，目前已有现货供应。