茂积代理的Nassda Corp.8日发表HSIM（TM）2.0版，此为最新版之全芯片电路验证与分析软件。当HSIM对模拟电路、混合信号电路、内存电路、及系统芯片（System-on-Chip，SoC）电路作分析时，分析过程一并考虑毫微米电气和寄生效应。此新版本不仅提供新的除错和分析功能，同时亦可支持新的组件模型（Device Model）。

Nassda执行长王山先生表示，「Nassda的HSIM 2.0版进一步提升精确度与毫微米分析功能，超过百家客户正应用我们的技术于他们的模拟信号、混合信号、内存、及系统芯片之设计流程，这种情况让我们确信我们为毫微米设计者提供了成功必备之验证平台。我们预期当毫微米制程技术推进到180nm或更先进时，将有更多设计者使用我们的技术，因为那个阶段的毫微米设计挑战将更为艰难。」

茂积表示，HSIM 2.0版加入了数项重要功能，其中包括 IDDQ漏电分析及新的设计除错功能附加选项 - 称为CircuitCheck，它可协助设计者在设计初期及早发现电路设计上的问题，此新版本亦包含3个新的分析法 - 蒙特卡罗（Monte Carlo）、AC频率、及DC扫描 ， 同时可支持多种新的MOS和双载子（bipolar）组件模型（Device Model），此外，亦加强netlist back-annotation功能。这些HSIM的新增功能是为了契合毫微米验证不断产生的新需求。

Nassda的总经理，邓安昌博士表示，「我们相信HSIM 2.0版的新增分析功能可更进一步巩固Nassda在毫微米电路验证的领导地位，对于必须以最低电源消耗量得到最佳设计效果的设计者而言，HSIM新增的漏电分析功能是不可或缺。另一方面，新的CircuitCheck附加选项可帮助设计者更早发现电路设计问题，缩短除错时间。我们也增加了蒙特卡罗（Monte Carlo）统计分析，让设计者更了解他们设计的电路，并改善可生产性（Manufacturability）。Nassda的研发与创新正可迎接来自全球的毫微米设计挑战。」