茂積代理的Nassda Corp.8日發表HSIM（TM）2.0版，此為最新版之全晶片電路驗證與分析軟體。當HSIM對類比電路、混合信號電路、記憶體電路、及系統晶片（System-on-Chip，SoC）電路作分析時，分析過程一併考量毫微米電氣和寄生效應。此新版本不僅提供新的除錯和分析功能，同時亦可支援新的元件模型（Device Model）。

Nassda執行長王山先生表示，「Nassda的HSIM 2.0版進一步提昇精確度與毫微米分析功能，超過百家客戶正應用我們的技術於他們的類比信號、混合信號、記憶體、及系統晶片之設計流程，這種情況讓我們確信我們為毫微米設計者提供了成功必備之驗證平台。我們預期當毫微米製程技術推進到180nm或更先進時，將有更多設計者使用我們的技術，因為那個階段的毫微米設計挑戰將更為艱難。」

茂積表示，HSIM 2.0版加入了數項重要功能，其中包括 IDDQ漏電分析及新的設計除錯功能附加選項 - 稱為CircuitCheck，它可協助設計者在設計初期及早發現電路設計上的問題，此新版本亦包含3個新的分析法 - 蒙特卡羅（Monte Carlo）、AC頻率、及DC掃描 ， 同時可支援多種新的MOS和雙載子（bipolar）元件模型（Device Model），此外，亦加強netlist back-annotation功能。這些HSIM的新增功能是為了契合毫微米驗證不斷產生的新需求。

Nassda的總經理，鄧安昌博士表示，「我們相信HSIM 2.0版的新增分析功能可更進一步鞏固Nassda在毫微米電路驗證的領導地位，對於必須以最低電源消耗量得到最佳設計效果的設計者而言，HSIM新增的漏電分析功能是不可或缺。另一方面，新的CircuitCheck附加選項可幫助設計者更早發現電路設計問題，縮短除錯時間。我們也增加了蒙特卡羅（Monte Carlo）統計分析，讓設計者更了解他們設計的電路，並改善可生產性（Manufacturability）。Nassda的研發與創新正可迎接來自全球的毫微米設計挑戰。」