国际整流器公司(International Rectifier)​​，推出创新WARP2 600V非穿通IGBT，额定电流分50A、35A和20A三种。新元件的断电(turn-off) 效能经特别改良，适用于电信和伺服器系统中的高电流、高频开关式电源电路。

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全新WARP2非穿通IGBT能以高于功率MOSFET的效能价格比，提供理想的性能和效率。这些IGBT与HEXFRED二极管联合封装，性能高于功率MOSFET中的积分本体二极管。新元件设有TO-247及TO-220封装。 WARP2 IGBT以IR的薄晶圆技术制成，有助于缩短少数载子消耗时间，加速断电过程。此外，元件的末端电流极短、关断切换损耗(EOFF) 极低，可让设计员达成更高的操作频率。

WARP2 IGBT凭借更完善的开关性能，配合正向温度系数特性和更低栅开通电荷，有效提升电流密度。若以并行模式操作，将可如功率MOSFET般发挥极佳的电流分享性能；但有别于功率MOSFET，它们的传导损耗保持固定不变。

在TO-247封装内，全新IGBT能处理高至50A电流，电容量较采用相同封装的IR 600V MOSFET高出85%；若采用TO-220封装，则可处理高至20A电流，电容量较采用相同封装的IR 600V MOSFET高出18%。