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适用于高频开关式电源

【CTIMES/SmartAuto 蘇沛榕报导】   2003年03月11日 星期二

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国际整流器公司(International Rectifier)​​,推出创新WARP2 600V非穿通IGBT,额定电流分50A、35A和20A三种。新元件的断电(turn-off) 效能经特别改良,适用于电信和伺服器系统中的高电流、高频开关式电源电路。

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全新WARP2非穿通IGBT能以高于功率MOSFET的效能价格比,提供理想的性能和效率。这些IGBT与HEXFRED二极管联合封装,性能高于功率MOSFET中的积分本体二极管。新元件设有TO-247及TO-220封装。 WARP2 IGBT以IR的薄晶圆技术制成,有助于缩短少数载子消耗时间,加速断电过程。此外,元件的末端电流极短、关断切换损耗(EOFF) 极低,可让设计员达成更高的操作频率。

WARP2 IGBT凭借更完善的开关性能,配合正向温度系数特性和更低栅开通电荷,有效提升电流密度。若以并行模式操作,将可如功率MOSFET般发挥极佳的电流分享性能;但有别于功率MOSFET,它们的传导损耗保持固定不变。

在TO-247封装内,全新IGBT能处理高至50A电流,电容量较采用相同封装的IR 600V MOSFET高出85%;若采用TO-220封装,则可处理高至20A电流,电容量较采用相同封装的IR 600V MOSFET高出18%。

關鍵字: International Rectifier  电压控制器 
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