國際整流器公司 (International Rectifier)，推出創新WARP2 600V非穿通IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新元件的斷電 (turn-off) 效能經特別改良，適用於電信和伺服器系統中的高電流、高頻開關式電源電路。

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全新WARP2非穿通IGBT能以高於功率MOSFET的效能價格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管聯合封裝，性能高於功率MOSFET中的積分本體二極管。新元件設有TO-247及TO-220封裝。WARP2 IGBT以IR的薄晶圓技術製成，有助於縮短少數載子消耗時間，加速斷電過程。此外，元件的末端電流極短、關斷切換損耗 (EOFF) 極低，可讓設計員達成更高的操作頻率。

WARP2 IGBT憑藉更完善的開關性能，配合正向溫度系數特性和更低柵開通電荷，有效提升電流密度。若以並行模式操作，將可如功率MOSFET般發揮極佳的電流分享性能；但有別於功率MOSFET，它們的傳導損耗保持固定不變。

在TO-247封裝內，全新IGBT能處理高至50A電流，電容量較採用相同封裝的IR 600V MOSFET高出85%；若採用TO-220封裝，則可處理高至20A電流，電容量較採用相同封裝的IR 600V MOSFET高出18%。