半导体制造商ST发布NOR闪存，该产品适用于低电压及高效能应用。采用90奈米制程技术，NOR闪存仅占据0.08µm2的硅芯片面积，尺寸比采用130奈米的同级产品减小了50%。此外，ST也已经利用相同的晶圆发展128Mbit的闪存原型芯片，目前该产品已进入评估阶段。

该公司指出90奈米NOR闪存制程技术是由ST位于意大利Agrate的非挥发性内存研究中心所开发的。ST非挥发性内存研究中心总监Paolo Cappelletti表示：「与当前的130奈米技术相比，新的90奈米技术具有两项主要优势：1、减小芯片面积；2、增加芯片上周边CMOS电路的效能，使其能读取被写入到内存数组中的数据。」Cappelletti进一步指出：「采用新技术来减小50%的芯片面积，相当于可为128Mbit，甚至更大容量的内存组件减少40%的芯片面积，这将显著地减少每位的成本。」

ST副总裁兼研发中心总监Joel Monnier表示：「透过同时改良内存密度与CMOS逻辑效能，新的90奈米技术将进一步强化ST在系统单芯片(SoC)的地位，因为SoC的设计必须将嵌入式内存与复杂的数字、模拟电路整合在单芯片上。」