Vishay推出新系列P信道MOSFET，这些组件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix组件采用PowerPAK SC-70封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准SC-70封装（2.0 mm ×2.1 mm）时为80毫欧，采用SC-89封装（1.6 mm×1.6 mm）时为130毫欧。

与市场上仅次之的MOSFET相比，这些新型Vishay Siliconix组件的规格表现了高达63%的改进。这些新型P信道TrenchFET将用于手机、MP3播放器、PDA及数码相机等可擕式终端产品中的负载开关、PA开关及电池开关，在这些应用中，它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间，它们的微型封装将节省宝贵的板面空间，从而实现更多功能。

在可擕式电子系统中，通过在显示器或功率放大器等功能不用时关闭它们，或将系统从活动模式切换到睡眠模式，P信道MOSFET执行基本功能，从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时，这些新型Vishay Siliconix组件的功耗低于市场上的先前任何P信道功率MOSFET，因为它们超低的导通电阻额定值会直接体现成更低的导电损失。

日前推出的P信道TrenchFET包括具有-12V、-20V及-30V击穿电压额定值的单信道组件。这些组件采用6引脚SC-89、标准SC-70及PowerPAK SC-70封装，所有封装均无铅（Pb），符合当今的环保要求。