意法半导体宣布推出两款新的功率MOSFET产品，适用于DC-DC转换器。 新产品采用最新的ST独有的STripFET技术，拥有极低的导电和转换损耗，在一个典型的稳压模块内，最大功耗小于3W。在同类型的竞争产品中，拥有最低的参数指数 (Figure of merit-FOM=Rds(on)x闸极电荷(Gate Charge)(Qg)。除高效能外，新推出的MOSFET让实际电路可在高于平常转换频率下工作，减少电路的被动组件的尺寸。例如，将转换频率提升10%，输出滤波器所需的被动组件的尺寸就可以缩小10%。

STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新的STripFET V系列产品首先推出的两项产品，由于导通电阻小且总闸极电荷量也明显地比较低，新系列产品拥有优异的性能及较佳的效能。 两款产品都是30V(BVDSS)。因为闸极电荷量(Qg)仅为8.8nC(奈米库伦)，且在10V电压时，导通电阻Rds(on)为7.2毫欧，STD60N3LH5是非隔离DC-DC降压转换器中的控制型FET的理想选择。STD85N3LH5在10V电压时，导通电阻Rds(on) 为4.2毫欧，闸极电荷量为14nC，使其成为同步MOFET的最佳选择。两款新产品都采用DPAK和IPAK封装，不久还将推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK封装的产品。 新系列STripFET V产品最适合应用于笔记本电脑、服务器、电信和网络系统。

ST的STripFET技术利用非常高的”等效单元密度”(equivalent cell density)和更小的单元特征尺寸来达到极低的导通电阻和转换损耗，同时占用较小的硅晶元面积。STripFET V是最新的STripFET技术，与上一代技术相比，在硅晶元阻抗和导通区间两大关键指数上，可提升大约35%，同时每导通区间内的总闸极电荷量可降低25%。