意法半導體宣佈推出兩款新的功率MOSFET產品，適用於DC-DC轉換器。 新產品採用最新的ST獨有的STripFET技術，擁有極低的導電和轉換損耗，在一個典型的穩壓模組內，最大功耗小於3W。在同類型的競爭產品中，擁有最低的參數指數 (Figure of merit-FOM=Rds(on)x閘極電荷(Gate Charge)(Qg)。除高效能外，新推出的MOSFET讓實際電路可在高於平常轉換頻率下工作，減少電路的被動元件的尺寸。例如，將轉換頻率提升10%，輸出濾波器所需的被動元件的尺寸就可以縮小10%。

STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新的STripFET V系列產品首先推出的兩項產品，由於導通電阻小且總閘極電荷量也明顯地比較低，新系列產品擁有優異的性能及較佳的效能。 兩款產品都是30V(BVDSS)。因為閘極電荷量(Qg)僅為8.8nC(奈米庫倫)，且在10V電壓時，導通電阻Rds(on)為7.2毫歐，STD60N3LH5是非隔離DC-DC降壓轉換器中的控制型FET的理想選擇。STD85N3LH5在10V電壓時，導通電阻Rds(on) 為4.2毫歐，閘極電荷量為14nC，使其成為同步MOFET的最佳選擇。兩款新產品都採用DPAK和IPAK封裝，不久還將推出採用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK封裝的產品。 新系列STripFET V產品最適合應用於筆記型電腦、伺服器、電信和網路系統。

ST的STripFET技術利用非常高的”等效單元密度”(equivalent cell density)和更小的單元特徵尺寸來達到極低的導通電阻和轉換損耗，同時佔用較小的矽晶元面積。STripFET V是最新的STripFET技術，與上一代技術相比，在矽晶元阻抗和導通區間兩大關鍵指數上，可提升大約35%，同時每導通區間內的總閘極電荷量可降低25%。