英飞凌科技(Infineon)发表两款新型LDMOS射频功率晶体管，适用于无线通信基础架构应用领域，例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。这两款新产品提供之输出功率峰值可达170瓦，进一步扩大英飞凌为WiMAX领域所提供射频功率晶体管之产品种类，现有产品功率包括10瓦、45瓦及130瓦。新款LDMOS射频功率晶体管之高峰值功率效能将可让设计师简化骑射频功率放大器之设计。

在WiMAX的讯号条件下，英飞凌的PTFA260851E/F 85W FET可在平均输出功率16瓦时，提升14 dB(典型)及22%的效率(典型)。同样在WiMAX的讯号条件下，英飞凌的PTFA261702E 170W FET可在平均输出功率32瓦时，提升15 dB(典型)及20%的效率(典型)。

英飞凌PTFA261702E的额定功率为170瓦(P-1 dB)，在2.5 GHz至2.7 GHz频段中，为业界最高之输出功率峰值。此晶体管的架构可提供一半的电子隔离，更容易运用于Doherty功率放大器。此装置亦可使用于推挽式(push-pull)组态，以提升带宽效能。

这两款产品均采用无铅且兼容于RoHS之陶瓷封装。这些晶体管在28V电压下运作，可提供带宽内部匹配，并可在连续波(CW)功率输出及供应电压28V时，处理10:1 VSWR(voltage standing wave ratio)。英飞凌科技公司射频功率部门副总裁兼总经理Helmut Volger表示：「在这两款产品加入我们完整的产品项目之后，英飞凌将持续提供市场上功率峰值最高的射频功率晶体管。随着无线通信基础架构市场采用WiMAX及其他新技术，像英飞凌LDMOS射频功率晶体管这样具备先进特性及功能的产品，将成为设计师工具组合中的重要元素。较高的功率峰值可让设计师开发出更单纯的设计，并降低整体的零组件使用量。」

在WiMAX的讯号条件下，英飞凌的PTFA260851E/F 85W FET可在平均输出功率16瓦时，提升14 dB(典型)及22%的效率(典型)。同样在WiMAX的讯号条件下，英飞凌的PTFA261702E 170W FET可在平均输出功率32瓦时，提升15 dB(典型)及20%的效率(典型)。

英飞凌PTFA261702E的额定功率为170瓦(P-1 dB)，在2.5 GHz至2.7 GHz频段中，为业界最高之输出功率峰值。此晶体管的架构可提供一半的电子隔离，更容易运用于Doherty功率放大器。此装置亦可使用于推挽式(push-pull)组态，以提升带宽效能。

这两款产品均采用无铅且兼容于RoHS之陶瓷封装。这些晶体管在28V电压下运作，可提供带宽内部匹配，并可在连续波(CW)功率输出及供应电压28V时，处理10:1 VSWR(voltage standing wave ratio)。