Vishay推出两款20V和30V n信道组件，扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些组件采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，大幅降低切换损耗及提高切换速度。

20V SiS426DN组件采用3mmX3mm尺寸的PowerPAK 1212-8封装，可为限定电压设备提供较低的导通电阻与栅极电荷乘积。在4.5V及10V时栅极电荷分别降低45%与36%，FOM降低50%。

这些组件将在同步降压转换器中用作高端MOSFET，通过使用负载点功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块、服务器与其他系统的功耗。