德州仪器（TI）于日前宣布，推出一款可在25 A电流下实现超过90%高效率的MOSFET ，体积为同类竞争功率MOSFET的50%。TI全新CSD86350Q5D Power Block透过先进的封装技术, 将2个非对称的NexFET功率MOSFET整合，为服务器、桌面计算机与笔记本电脑、基地台、交换器、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高效能。

TI - CSD86350Q5D Power Block

TI表示，NexFET Power Block除提高效率与功率密度外，还能以高达1.5 MHz的开关频率生成高达40 A的电流，可有效降低解决方案尺寸与成本。优化的接脚布局（pinout）与接地导线架（grounded lead frame）可明显缩短开发时间，改善整体电路效能。此外，NexFET Power Block还能以低成本实现与GaN 等其他半导体技术相当的效能。