瑞萨电子近日宣布,推出七款采用HSON封装之功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),适用于汽车电子控制单元,例如引擎管理及电子帮浦马达控制等应用。
![七款采用8-Pin HSON封装之功率MOSFET](/news/2010/09/08/1208109872.jpg) |
七款采用8-Pin HSON封装之功率MOSFET |
新产品包括额定电压40V及60V的N Channel MOSFET,及额定电压–30V的P Channel MOSFET,可应用于各类螺线管、马达开关,或电池正负极逆向保护。新款产品具有下列特色:(1)采用HSON封装,尺寸为现有TO-252封装的一半;(2)直流电耐压可达75安培;(3)支持动作温度最高可达175°C。特别是NP75N04YUG产品可处理75安培的连续电流,以及超低的4.8 mΩ最大额定导通电阻,在业界目前采用同等级封装之车用MOSFET中,效率等级最高之产品。
车用电子控制单元的数量逐年增加,对于模块体积小型化、轻量化及功能最大化的需求也随之增加。瑞萨电子新推出的MOSFET产品,专为符合小型化、高功率密度系统的需求而设计。新开发的8-Pin HSON封装质量适用于汽车电子系统,并可维持与体积较大之TO-252封装MOSFET产品相同效能。