瑞萨电子近日宣布，推出最新第12代功率MOSFET产品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，为适用于一般负载点（POL）、基地台、计算机服务器及笔电DC/DC转换器中之功率半导体装置。

瑞萨电子推出三款全新功率MOSFET，打造服务器及笔电专用之高效能DC/DC转换器。

上述新产品用以控制CPU及内存中的电压转换电路。例如，前述新款功率MOSFETs可用于降压电路，将电池的12伏特（V）电压转换为CPU所使用的1.05V。由于制程加倍精细化，相较于瑞萨电子现有产品，新款MOSFET的质量因子（FOM，figure of merit；on-state resistance times gate charge）降低约40%，因此能在电压转换过程中减少功率损耗，达成高效率的DC/DC转换器效能。

随着服务器、笔电及显示适配器等应用产品的效能逐渐提升，消耗功率也随之增加。大势所趋之下也促使各种组件以较低的电压运作，例如CPU、绘图处理单元（GPU）、内存、各种装置及ASIC等，电流量随之提高的同时也产生了新的需求，亦即DC/DC转换器必须处理低电压及大电流。

而另一项强烈需求，则是在电压转换过程中减少功率损耗并追求更高的效率，以藉此节约能源，降低环境冲击。瑞萨电子透过目前业界中最高效能等级的新产品，扩充其低FOM功率的MOSFET产品种类，从容因应上述需求。

上述新产品中的耐压（VDSS）为25V，其中的RJK0210DPA MOSFET可达到最大电流（ID）40安培（A）；RJK0211DPA为30A；RJK0212DPA则为25A。其FOM（典型值于VGS=4.5V）分别为6.84mΩ∙nC、7.83mΩ∙nC及7.2mΩ∙nC，相较于瑞萨电子现有的MOSFET约降低40%。

另外，上述新产品的闸-汲极电荷电容（gate-drain charge capacitance,Qgd，控制功率MOSFET之关键特性）分别为1.2nC、0.9nC及0.6nC，同样约较瑞萨电子上一代功率MOSFET低了40%（使用相同导通电阻测量）。较低的数值意味着切换损失较少，也因此对于更高效率的DC/DC转换器效能，以及更高的能源效率帮助良多。

DC/DC转换器是藉由两个功率MOSFET运作，其中之一负责控制，另一个则负责同步整流，交互切换开与关以转换电压。将新款RJK0210DPA MOSFET用于控制，而将瑞萨电子第11代RJK0208DPA装置用于同步整流，将12V电压转换至1.5V，在输出电流为18A时，最大功率转换效率为90.6%，在输出电流为40A时，最大功率转换效率为86.6%（以上数据皆以切换频率300kHz及两相组态为基础）。

上述MOSFET新产品采用瑞萨电子的WPAK封装，尺寸为5.1mm x 6.1mm，厚度则为0.8mm（最厚处）。上述产品的底部设有芯片焊盘（diepad），在功率MOSFET运作期间，能将热传导至印刷电路板，并确保功率MOSFET得以处理大电流。