瑞萨电子近日发表全新R2J20751NP功率半导体装置之开发。此装置可做为个人计算机、服务器及打印机内DDR类型SDRAM（Synchronous DRAM）内存及大型逻辑设备（如FPGA）之专属电源供应器。R2J20751NP为同类产品（POL转换器）中第一款具备最大25A额定电流，且在单一封装中整合MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）及电源供应控制器的产品，可让系统设计师实现尺寸更小且更具能源效率的电源供应系统。

瑞萨电子全新R2J20751NP功率半导体装置

R2J20751NP之主要特色：

(1)安装面积较瑞萨电子现有产品缩小约60%

R2J20751NP最大额定电流25A的版本尺寸仅6 mm x 6mm，安装面积较瑞萨电子现有产品缩小约60%，其中使用一对功率MOSFET做为功率转换，并使用一个电源供应控制器（含芯片内建驱动器之PWM控制IC）提供驱动器控制功能。藉此实现更小型的电源供应系统。

(2)可达94.5%电源效率

R2J20751NP将5V输入电压转换为1.5V输出电压时，可达94.5%最高电源转换效率，在结合额定25A电源供应器与电源供应控制器（含芯片内建驱动器之PWM控制IC）的同类产品中为最高水平。如此将有助于降低电源转换损耗，并藉此获得更高的电源效率。

(3)可扩充之多相运作

R2J20751NP整合瑞萨电子独家开发的时钟传送系统（接力赛系统），使多个装置可透过主从式组态进行链接。这表示所使用的功率半导体数量（一或多个）可扩充以供应电子装置（例如DDR类型SDRAM或FPGA）需耗用的电流量，因此在变更电源供应器规格时，不需要选择不同的功率半导体装置，藉此简化电源供应器设计。

另外，内建的自动相位控制功能会自动切换至最佳的相位数，以符合电源供应器输出电压。如此在小电流至大电流的范围内皆可维持高效能。

(4)内建保护功能

R2J20751NP装置整合DC-DC POL转换器所需的各种保护功能，包括过电流保护及过电压保护。因此可用较少的外部组件建置可靠的电源供应系统。

R2J20751NP采用记录良好且散热性极佳的40-pin QFN封装。位于封装下方且占据一半以上面积的晶粒座可在安装后确保散热效果。