瑞萨电子近日宣布，推出32款容许电压为40及55伏特（V）之新型N信道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）。新款功率MOSFET包括采用小型HSON封装的NP75N04YUK产品，安装面积为现有TO-252封装的一半，可处理75安培（A）的电流。

40及55伏特(V)之新型N信道功率MOSFET

32种新款功率MOSFET均采用瑞萨电子新开发的ANL2制程，可使导通电阻降至最低并提供高速开关效能。相较于传统的UMOS4制程，ANL2制程可提升约40%的质量因子（FOM）效能指数，相当于装置导通电阻乘上闸极电荷。新款NP75N04YUK产品结合ANL2技术与小型HSON-8封装，大小约为现有TO-252封装的一半。这些将使NP75N04YUK产品最高可处理75安培的电流，并达到较低的3.3 mΩ的导通电阻。

使用新款功率MOSFET，客户将可制作体积更小且效能更高的汽车控制单元。