意法半导体先进的V系列600V沟槽式场截止（trench-gate field-stop）型IGBT拥有平顺、无曳尾（tail-less）电流的关机特性，饱和电压（saturation voltage）更是低达1.8V，最大工作结温高达175°C，这些优势将有助于开发人员提高系统能效和开关频率，并简化散热设计和电磁干扰设计。

意法半导体的「无曳尾电流」600V IGBT突破功率设计限制

透过消除IGBT固有的关机曳尾电流特性，意法半导体的新组件提高了开关能效与最大开关频率。新产品的裸片非常薄，有助于提高开关和散热性能。意法半导体独有且经优化的沟槽式（trench-gate）场截止型（field-stop）制程降低了热阻，最高结温高达175°C，同时实现了对饱和电压等参数的严格控制，允许多个IGBT安全平行，进而提高电流密度和通态能效。

全新的IGBT非常稳固，拥有很高的Dv/dt耐压性能。与IGBT封装在一起的超高速软恢复（soft-recovery）二极管可最大幅度地降低导通能耗。针对更成本更敏感的应用，意法半导体还推出了可无二极管（Diode-free）的型号选项。

意法半导体的20A至80A V系列IGBT现已投入量产，采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封装。