Microchip（微芯科技）发布SST26WF080B 和 SST26WF040B新组件，扩展旗下1.8V四个串行式 I/O（SQI）SuperFlash内存家族。新组件备有4Mb及8Mb的储存容量，采用Microchip高性能SuperFlash技术制造，可提供最快的抹除时间和可靠性。

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由于采用了SuperFlash技术，SST26WF080B/040B新元件的抹除速度比所有其他同类元件都要快。区段和区块抹除命令在短短18毫秒内即可完成，而执行一个完整的晶片抹除动作也只需要35毫秒。同类元件需要5-15秒的时间才能完成一个完整的晶片抹除操作。相较之下，SST26WF080B/040B的抹除速度要比同类型元件快近300倍。由于最大限度地减少了测试和硬体更新所需的时间，新元件最快速的抹除性能可为客户显著节约成本，并大幅提高产能。

新组件的SQI接口是一个104 MHz的高速四个串行式I/O接口，即使是低接脚数封装也可实现高输送的数据量。该接口备有低延迟就地执行（XIP）功能，使得程序可以直接在闪存内储存和执行而无需在RAM组件上进行程序代码映像。与x16地址线并列式闪存组件相比较，SST26WF080B/040B的数据访问速度更快，且没有并列式闪存相关的高成本和高接脚数。此外，该SQI接口还提供完整的命令集，可向后兼容支持传统的串行式周边接口（SPI）的协议。

SST26WF080B/040B专为低功耗设计，有助于最大限度地延长可?式供电应用中电池的寿命。新组件在待机模式下的典型电流消耗仅为10 uA，而深度掉电模式下的典型电流消耗更进一步降低至1.8 uA。在104MHz读取动作时其典型电流为15 mA。1.8V低功耗操作与小尺寸封装相结合，无疑令SST26WF080B/040B成为包括手机、蓝牙耳机、GPS、摄影镜头模块、助听器和其他电池供电设备在内各种应用的最佳选择。

SST26WF080B/040B拥有高质量和可靠性，数据保存时间长达100年，且可抹/写次数超过10万次，耐用性极高。此外，其安全性也得到进一步增强，包括针对各独立区块的软件写保护以便灵活保护数据/程序代码安全以及单次刻录（OTP）的2 Kb安全ID区域。这些特性有助防止未经授权的存取及其他恶意读取、刻录和抹除的意图。同时，该组件还备有一个兼容JEDEC标准的串行式闪存可显示参数（SFDP）表，其中包含有关SST26WF080B/040B功能和性能的识别信息，从而达到简化软件设计的目的。

Microchip储存产品部副总裁Randy Drwinga表示：「公司为1.8V低功耗四个串行式I/O产品线新增的SST26WF080B/040B SuperFlash组件为客户带来了抹除速度快的高速闪存卓越解决方案。凭借小尺寸和低功耗的特性，新组件适用于包括物联网应用在内的新一代采用电池供电的可携嵌入式设计。」

SST26WF080B/040B组件现已开始提供样品并投入量产，备有8接点6mm x 5mm WSON封装、8接脚150mil SOIC封装、8接点2mm x 3mm USON封装以及8球Z-Scale XFBGA封装。（编辑部陈复霞整理）