凌力尔特(Linear)日前发表具备双组MOSFET驱动器的能源监测热插拔(Hot Swap)控制器LTC4282,可致能100A和更高电流的电路板设计。 LTC4282透过控制外部N通道MOSFET缓慢上电电容,避免产生火花,连接器损坏和系统故障,确保从运作中的2.9V至33V背板的安全电路板插拔。高电流热插拔电路板采用并联的MOSFET,以减少电压降,但所有这些MOSFET都需要大量的安全区(SOA)以穿越过流故障。50A)中的MOSFET成本。"透过控制两个匹配的电流限制路径,LTC4282减半每个路径的SOA的要求,以减少在高电流应用( 50A)中的MOSFET成本。进一步的成本节约来自分阶段启动的配置,其于其中一个路径采用低SOA MOSFET,另一条路径则采用低RDS(ON) MOSFET。 LTC4282提供热插拔和监测的坚固精小的解决方案,尤其是在伺服器、网路路由器和交换器,和企业数据储存系统中的高功率的电路板。
![LTC4282透过控制外部N通道MOSFET缓慢上电电容,确保从运作中的2.9V至33V背板的安全电路板插拔。](/news/2015/10/02/1450307230S.jpg) |
LTC4282透过控制外部N通道MOSFET缓慢上电电容,确保从运作中的2.9V至33V背板的安全电路板插拔。 |
在电路板电源闸极上,LTC4282的+/-0.7%精度ADC(类比数位转换器)会透过一个I2C/SMBus数位介面报告板上电压、电流、功率及能耗。在过电流条件下,LTC4282会返折其2%精准电流限制,针对可调节的超时时间保持恒定的MOSFET的功耗。数位配置的电流限制允许当负载变化时的动态调整,并简化对于低值感测电阻的选择。监视电气参数的最大值和最小值可被记录,并在超过8位元门槛时提出警报。内部EEPROM提供针对暂存器配置和故障日志数据的非挥发性储存。为防止电路板的灾难性破坏,MOSFET会在连续异常时持续监控,例如低闸极电压和汲极─源极短路或大压降。适合于摄氏40度至70度商业及摄氏?40度至85度工业温度范围,LTC4282目前供货32接脚5mm x 5mm QFN 封装。
产品特色
‧允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作
‧具+/-0.7% 总未调整误差的12位/ 16位ADC
‧I2C/SMBus介面以读取板面电压,电流,电源及能源使用情况
‧内部 EEPROM用于储存配置及故障纪录
‧宽广操作电压范围:2.9V至33V
‧高电流应用特性
-双组MOSFET闸极驱动器及电流感测
-针对更低 MOSFET RDS(ON) 的12V闸极驱动
-以电流返折进行MOSFET功率限制
‧数位特性
-数位化可调电流限制& UV/OV/PG门槛
-可储存最小级最大量测值
-当超过所设定的门槛时提出警告
三组通用输入/输出
‧可连续监视 MOSFET 的健康状况
‧输入过压 / 欠压保护
‧32接脚 5mm x 5mm QFN封装