氮化??(GaN)具备多项重要优势，例如高功率密度、同级最隹效率及降低系统成本等等。英飞凌科技股份有限公司宣布将於 2018年年底开始量产CoolGaN产品，目前已於市场提供具备高可靠度的GaN解决方案的工程样品。

CoolGaN 400 V 及 600 V e-mode HEMT 将於 2018 年年底开始全面量产。

英飞凌高电压转换部门资深协理Steffen Metzger表示：「英飞凌是全球电源解决方案的领导厂商，我们深信GaN是电源管理的下一个明日之星。公司的目标是在GaN电源方面成为客户首选，而我们已经做好所有准备以达成此项目标。GaN市场已经获得强大动能，在特定应用中采用此项技术带来大幅优势。从降低营运支出及资本支出，提升功率密度实现更精巧轻盈的设计，乃至於减少整体系统成本，其中产生的效益相当具有说服力。」

英飞凌 CoolGaN是市面上最可靠且通过全球认证的GaN解决方案之一。在品质管理流程中，不仅对产品本身做测试，还包括产品於应用中特性表现的测试。CoolGaN的效能超越市面上其他的GaN产品。以100 ppm (百万分之一)的失效率来看，预估零件使用寿命约为55年，超越预期寿命40年。CoolGaN在同样的储能空间下达到两倍的输出功率，可释出更多空间并提升效率。

CoolGaN 400 V及600 V e-mode HEMT将於2018年年底开始全面量产。CoolGaN 400 V 将提供70 m? ，采用SMD底层散热TO-leadless及顶层散热DSO-20-87封装。

CoolGaN 600 V则采用顶层散热DSO-20-87封装及底层散热DSO-20-85封装。70 m? 及190 m? 600V CoolGaN装置采用底层散热TO-leadless及DFN 8x8封装，让600V CoolGaN产品组合更为完备。