英飞凌科技推出新款 1200 V TRENCHSTOP IGBT7与射极控制EC7二极体。新款IGBT具备更高的功率密度，可降低系统成本及缩小系统尺寸。此功率模组采用业界知名的Easy外壳封装，符合工业马达应用的需求。

英飞凌推出TRENCHSTOP IGBT7与EC7二极体专为工业马达应用所设计

TRENCHSTOP IGBT7 晶片采用最新的微图沟槽技术，其静态损耗远低於IGBT4，导通电压亦降低20%。这项技术可大幅降低应用的损耗，特别是工业马达之应用，因为这类应用通常以中度切换频率运作。此功率模组的最大允许过载接面温度可达175。C，并具有较弹性的切换及更高可控制性等特点。

新款1200 V TRENCHSTOP IGBT7模组的脚位设计和TRENCHSTOP IGBT4模组相同，因此有利於减少制造商的设计工作复杂度。更重要的是，新款模组可在相同的封装之下，提供更高的输出电流，或甚至以较小的封装提供相似的输出电流。因此，设计人员便能以此设计出体积更精巧的变频器。所有模组类型皆配备英飞凌可靠的PressFit压接技术，可降低欧姆电阻及缩短制程时间。